Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 120 A, 2.50 mΩ, パッケージ:TO-220

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RS品番:
257-9359
メーカー型番:
IRFB7440PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

120A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.50mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

+175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧40V、最大連続ドレイン電流120A - IRFB7440PBF


このMOSFETは、高電流電力用途向けに設計されたスルーホールNチャンネルスイッチングデバイスです。広い温度範囲で動作し、RoHS環境制限に適合しています。このパッケージにより、ヒートシンク表面への取り付けが容易で、電力損失管理と従来回路でのディスクリートアセンブリを実現します。

特長および利点:


• 2.50mΩの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 40Vドレイン・ソース制限により、中電圧システムを実現
• 120Aの連続電流処理により、持続負荷を実現
• 強化チャンネル動作により、簡単なゲート駆動を実現
• 1.3Vの順方向電圧により、効率的なボディ‐ダイオード伝導をサポート

用途


• 電源での高電流MOSFET使用に最適
• モータドライバ(40V、120A)のMOSFETに最適
• TO‐220スルーホールNチャンネルMOSFET 40Vレイアウトと併用
• HEXFET 2.5mΩ低Rds(on)MOSFETの代替品として使用可能
• 高温MOSFET動作(-55°C~175°C)を必要とする回路に使用

信頼性の高い動作が可能な温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~175°Cで動作し、低温スタートと高温動作をカバーします。

熱管理にはどのような取り付け方法が必要ですか?


外部ヒートシンクまたはシャーシに取り付けるためのTO‐220スルーホールパッケージで提供されます。

どのようなチャンネルとスイッチングモードを使用しますか?


このデバイスは、導通にゲートソースドライブを必要とするNチャンネルエンハンスメントモードトランジスタです。

自動車用設置に適していますか?


自動車規格に適合することは指定されておらず、車両特有の要件に対して評価する必要があります。

環境指令の要件に適合していますか?


RoHS準拠で、特定の有害物質の制限を示します。

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