Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 43 A, 表面 パッケージTO-263

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1600 - 7200¥212.358¥169,886
8000 - 11200¥207.42¥165,936
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16000 +¥197.544¥158,035

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RS品番:
257-9427
メーカー型番:
IRFS38N20DTRLP
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

43A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

54mΩ

順方向電圧 Vf

1.5V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

60nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

320W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon IRFSシリーズは、D2 Pakパッケージに収められた200 VシングルnチャンネルIR Mosfetです。

幅広いSOAに対応する平面セル構造

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

100 kHz未満のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン

業界標準の表面実装パワーパッケージ

高電流携帯能力パッケージ(最大195 A、ダイサイズによって異なる)

ウェーブはんだ付け可能

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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