Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 63 A, 16 mΩ, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 257-9453
- メーカー型番:
- IRLR3110ZTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 257-9453
- メーカー型番:
- IRLR3110ZTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 63A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 16mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | +175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 63A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 16mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max +175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン‐ソース電圧100V、最大連続ドレイン電流63A - IRLR3110ZTRPBF
このMOSFETは、高電流処理と高温耐久性を必要とする回路のスイッチングおよび電力管理用に設計されたスルーホールパワートランジスタです。中電圧用途向けのNチャンネル強化デバイスとして動作し、TO‐252パッケージと簡単な基板実装が求められる設備向けに設計されています。
特長および利点：
• 16mΩ Rds(on)により、高電流流量時の導通損失を低減
• 100V Vdsは中電圧スイッチング用途に対応
• 63Aの連続ドレイン電流により、持続的な高負荷動作を実現
• -55°C～+175°Cの温度範囲により、高温での使用が可能
• 1.3Vの順方向ゲート電圧により、効率的なゲート駆動性能を実現
• 100V Vdsは中電圧スイッチング用途に対応
• 63Aの連続ドレイン電流により、持続的な高負荷動作を実現
• -55°C～+175°Cの温度範囲により、高温での使用が可能
• 1.3Vの順方向ゲート電圧により、効率的なゲート駆動性能を実現
用途
• 産業機器のDC電力変換段階に最適
• コンパクトアセンブリのモーター駆動スイッチングに最適
• 高電流スループットを必要とする電源と併用
• 高負荷システムのバッテリ管理に使用可能
• フィッティングやリグの熱ストレステストに最適
• コンパクトアセンブリのモーター駆動スイッチングに最適
• 高電流スループットを必要とする電源と併用
• 高負荷システムのバッテリ管理に使用可能
• フィッティングやリグの熱ストレステストに最適
基盤実装にはどのようなパッケージタイプを使用しますか?
スルーホール取り付け用に構成されたTO‐252パッケージで提供され、機械的安定性と放熱性を向上させます。
設計者はどのようなチャンネル動作を期待する必要がありますか?
強化モードNチャンネルトランジスタとして機能し、伝導にはポジティブなソース間ゲートドライブが必要です。
温度性能は、展開にどのような影響を与えますか?
このデバイスは、-55°C～+175°Cの範囲で動作するように設計されており、熱変動が大きい環境での使用が可能です。
このコンポーネントは、自動車標準プロジェクトに適していますか?
この部品は自動車規格に指定されていないため、これらの特定の認定基準を満たすとは考慮しないでください。
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