Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 68 A N, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, BSC120N12LSGATMA1

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梱包形態
RS品番:
258-0697
メーカー型番:
BSC120N12LSGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

68A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

120V

パッケージ型式

TDSON

シリーズ

BSC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

14.2mΩ

チャンネルモード

N

最大許容損失Pd

114W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

51nC

順方向電圧 Vf

0.87V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

幅

6.35 mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21, RoHS

長さ

5.49mm

自動車規格

なし

ロジックレベルのInfineon OptiMOS 3パワーMOSFETは、充電、アダプタ、通信用途に最適です。デバイスの低ゲート充電により、導電損失を損なうことなくスイッチング損失を低減します。ロジックレベルMOSFETは、高いスイッチング周波数での動作を可能にし、低ゲートしきい値電圧により、マイクロコントローラから直接駆動できます。

低ゲート充電

低出力充電

ロジックレベル互換性

高電力密度設計

高いスイッチング周波数

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