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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	68A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	120V
	パッケージ型式	TDSON
	シリーズ	BSC
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	14.2mΩ
	チャンネルモード	N
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	51nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	114W
	順方向電圧 Vf	0.87V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	IEC 61249-2-21, RoHS
	高さ	1.1mm
	幅	6.35 mm
	長さ	5.49mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 68A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 120V
	パッケージ型式 TDSON
	シリーズ BSC
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 14.2mΩ
	チャンネルモード N
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 51nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 114W
	順方向電圧 Vf 0.87V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 IEC 61249-2-21, RoHS
	高さ 1.1mm
	幅 6.35 mm
	長さ 5.49mm
	自動車規格なし

Datasheet - BSC120N12LSGATMA1

ロジックレベルのInfineon OptiMOS 3パワーMOSFETは、充電、アダプタ、通信用途に最適です。デバイスの低ゲート充電により、導電損失を損なうことなくスイッチング損失を低減します。ロジックレベルMOSFETは、高いスイッチング周波数での動作を可能にし、低ゲートしきい値電圧により、マイクロコントローラから直接駆動できます。

低ゲート充電

低出力充電

ロジックレベル互換性

高電力密度設計

高いスイッチング周波数

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 68 A N, 表面, 8-Pin パッケージTDSON

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