Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 26 A N, 表面 パッケージTO-220, IPAN60R360PFD7SXKSA1

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梱包形態
RS品番:
258-3782
メーカー型番:
IPAN60R360PFD7SXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

26A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

IPA

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

125mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1.2V

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOS PFD7スーパージャンクションMOSFETは、消費者用途向けのCoolMOS 7を補完します。TO-220 FullPAK NLパッケージに収められたCoolMOS PFD7スーパージャンクションMOSFETは、スイッチング損失が低く、RDS(on)は360 mOhmです。600 V CoolMOS PFD7には、高速ボディダイオードが内蔵されており、頑丈なデバイスを実現し、顧客の材料費を削減します。この製品ファミリは、超高電力密度及び最高効率の設計に合わせて設計されています。この製品は主に、超高密度充電器、アダプタ、低電力モータドライブに対応しています。600 V CoolMOS PFD7は、CoolMOS P7及びCE MOSFETテクノロジーよりも軽量及び全負荷効率が向上し、電力密度が1.8 W/インチ3増加します。

優れた切り替え耐久性

低EMI

幅広いパッケージポートフォリオ

BOMコスト削減と簡単な製造

堅牢性と信頼性

設計の微調整に適した部品を簡単に選択可能

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