Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 11 A N, 表面 パッケージTO-263
- RS品番:
- 258-3808
- メーカー型番:
- IPB60R299CPAATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | ¥608.85 | ¥608,850 |
| 2000 - 9000 | ¥602.233 | ¥602,233 |
| 10000 - 14000 | ¥595.617 | ¥595,617 |
| 15000 - 19000 | ¥589.003 | ¥589,003 |
| 20000 + | ¥582.388 | ¥582,388 |
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- RS品番:
- 258-3808
- メーカー型番:
- IPB60R299CPAATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 11A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | iPB | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 40.7mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 11A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ iPB | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 40.7mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOSパワートランジスタは、高ピーク電流能力を備え、車載用AEC Q101認定を取得しています。
超低ゲート充電
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