Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 80 A エンハンスメント型, 表面 パッケージTO-263, IPB80P04P407ATMA2

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梱包形態
RS品番:
258-3815
メーカー型番:
IPB80P04P407ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

iPB

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

40.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2パワートランジスタは、Pチャンネルノーマルレベル強化モードです。動作温度は175 °Cです。

緑色パッケージ(RoHS準拠)

100 %アバランシェテスト済み

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