Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 30 A, 39.80 mΩ, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 258-3837
- メーカー型番:
- IPD220N06L3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 258-3837
- メーカー型番:
- IPD220N06L3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | IPD | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 39.80mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | +175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ IPD | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 39.80mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max +175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IPDシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧60V、最大連続ドレイン電流30A - IPD220N06L3GATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい熱環境での電源スイッチング用に設計された表面実装Nチャンネルトランジスタです。適度な定格電圧と大幅な連続電流容量を兼ね備えており、効率的な伝導とコンパクトな取り付けを必要とする用途に適しています。このデバイスはRoHS規格に準拠し、簡単なプリント基板組立のためのTO‐252パッケージで提供されます。
特長および利点：
• 39.8 mΩ RDS(on)により、導通損失を低減
• 1.2Vの順方向電圧により、効率的なゲート駆動スイッチングを実現
• 幅広い温度範囲をサポートする動作範囲:-55°C～+175°C
• 60Vドレインソース定格により、堅牢な電圧ヘッドルームを実現
• 30Aの連続ドレイン電流により、高電流負荷に対応
• 1.2Vの順方向電圧により、効率的なゲート駆動スイッチングを実現
• 幅広い温度範囲をサポートする動作範囲:-55°C～+175°C
• 60Vドレインソース定格により、堅牢な電圧ヘッドルームを実現
• 30Aの連続ドレイン電流により、高電流負荷に対応
用途
• DC配電モジュールに最適
• モータドライバスイッチングステージに最適
• 表面実装が必要なバッテリ管理回路で使用
• コンバータの同期整流に使用可能
• コンパクトプリント基板の高電流負荷スイッチングに最適
• モータドライバスイッチングステージに最適
• 表面実装が必要なバッテリ管理回路で使用
• コンバータの同期整流に使用可能
• コンパクトプリント基板の高電流負荷スイッチングに最適
PCBアセンブリにはどのようなパッケージタイプが用意されていますか?
このデバイスは、リフロープロセスに適したTO‐252表面実装パッケージで提供されます。
制御回路にはどのようなチャンネル極性を採用していますか?
回路設計に応じて、ローサイド又はハイサイドスイッチングトポロジにNチャンネル構成を使用します。
自動車規格への適合を目的とした製品ですか？
自動車規格デバイスとして指定されていませんが、RoHS環境要件に適合しています。
このコンポーネントにはどのような取り付けスタイルが適していますか?
このトランジスタは表面実装用で、低プロファイルの基板レイアウトを実現します。
指定された最高動作温度はどのくらいですか?
このコンポーネントは、最大+175 °Cで動作する定格です。
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