Infineon MOSFET700 V 211 A 表面実装 パッケージPG-TO220-3
- RS品番:
- 258-3897
- メーカー型番:
- IPP65R041CFD7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
500 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
単価： 購入単位は 個
￥1,840.00
(税抜)
￥2,024.00
(税込)
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 1 | ￥1,840.00 |
| 2 - 19 | ￥1,786.00 |
| 20 - 29 | ￥1,421.00 |
| 30 - 39 | ￥1,237.00 |
| 40 + | ￥1,054.00 |
- RS品番:
- 258-3897
- メーカー型番:
- IPP65R041CFD7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon 650 V CoolMOS CFD7スーパージャンクションMOSFETは、TO-220パッケージに収められており、サーバー、通信、太陽光発電、EV充電ステーションなどの産業用途での共振トポロジに最適で、競合他社に比べて効率が大幅に向上します。CFD2 SJ MOSFETファミリの後継製品として、ゲート電荷の低減、ターンオフ動作の改善、逆回復電荷の低減により、最高の効率と電力密度を実現し、さらに50 Vのブレークダウン電圧を実現します。
超高速ボディダイオード及び超低Qrr
破壊電圧: 650 V
競合他社と比べてスイッチング損失を大幅に削減
ハードコミューティングに対する優れた堅牢性
バス電圧の増加を伴う設計に対する追加のセーフティマージン
高い電力密度を実現
破壊電圧: 650 V
競合他社と比べてスイッチング損失を大幅に削減
ハードコミューティングに対する優れた堅牢性
バス電圧の増加を伴う設計に対する追加のセーフティマージン
高い電力密度を実現
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| 最大連続ドレイン電流 | 211 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 700 V |
| パッケージタイプ | PG-TO220-3 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
関連ページ
- Infineon MOSFET700 V 211 A 表面実装 パッケージPG-TO220-3
- Infineon MOSFET700 V 211 A 表面実装 パッケージPG-TO 247
- Infineon MOSFET700 V 304 A スルーホール パッケージPG-TO247-3
- Infineon MOSFET700 V 22.4 A SMD パッケージPG-TO 263-3
- Infineon MOSFET700 V 17.5 A SMD パッケージPG-TO 220
- Infineon MOSFET700 V 24 A SMD パッケージPG-TO 220
- Infineon IGBT 650 V PG-TO220-3
- Infineon IGBT PG-TO220-3