Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 50 A パッケージTO-220, IPP65R041CFD7XKSA1

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梱包形態
RS品番:
258-3897
メーカー型番:
IPP65R041CFD7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

IPP

パッケージ型式

TO-220

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

41mΩ

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

102nC

最大許容損失Pd

227W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon 650 V CoolMOS CFD7スーパージャンクションMOSFETは、TO-220パッケージに収められており、サーバー、通信、太陽光発電、EV充電ステーションなどの産業用途での共振トポロジに最適で、競合他社に比べて効率が大幅に向上します。CFD2 SJ MOSFETファミリの後継製品として、ゲート電荷の低減、ターンオフ動作の改善、逆回復電荷の低減により、最高の効率と電力密度を実現し、さらに50 Vのブレークダウン電圧を実現します。

超高速ボディダイオード及び超低Qrr

破壊電圧: 650 V

競合他社と比べてスイッチング損失を大幅に削減

ハードコミューティングに対する優れた堅牢性

バス電圧の増加を伴う設計に対する追加のセーフティマージン

高い電力密度を実現

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