Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 50 A パッケージTO-220

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本50個入り) 小計：*

￥29,960.00

(税抜)

￥32,956.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 450 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1チューブあたりの価格*
50 - 200￥599.20￥29,960
250 - 450￥580.88￥29,044
500 - 1200￥562.54￥28,127
1250 - 2450￥544.22￥27,211
2500 +￥525.88￥26,294

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
258-3896
メーカー型番:
IPP65R041CFD7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

IPP

パッケージ型式

TO-220

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

41mΩ

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

227W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

102nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon 650 V CoolMOS CFD7スーパージャンクションMOSFETは、TO-220パッケージに収められており、サーバー、通信、太陽光発電、EV充電ステーションなどの産業用途での共振トポロジに最適で、競合他社に比べて効率が大幅に向上します。CFD2 SJ MOSFETファミリの後継製品として、ゲート電荷の低減、ターンオフ動作の改善、逆回復電荷の低減により、最高の効率と電力密度を実現し、さらに50 Vのブレークダウン電圧を実現します。

超高速ボディダイオード及び超低Qrr

破壊電圧: 650 V

競合他社と比べてスイッチング損失を大幅に削減

ハードコミューティングに対する優れた堅牢性

バス電圧の増加を伴う設計に対する追加のセーフティマージン

高い電力密度を実現

関連ページ