Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 6 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージPG-TO220-3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本50個入り) 小計：*

￥6,138.00

(税抜)

￥6,752.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 350 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1チューブあたりの価格*
50 - 200￥122.76￥6,138
250 - 450￥119.52￥5,976
500 - 1200￥116.26￥5,813
1250 - 2450￥113.02￥5,651
2500 +￥109.74￥5,487

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
259-1574
メーカー型番:
SPP06N80C3XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

PG-TO220-3

シリーズ

CoolMOS^TM

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.9Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

83W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

31nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC1, RoHS

自動車規格

なし

Infineon coolmostmパワートランジスタは、スイッチング用途です。高いDCバルク電圧の産業用途です。ターゲット用途向けのJEDEC1準拠の認定を取得しています。

極めて高いdv/dt定格

高ピーク電流容量

超低ゲート充電

超低効果静電容量

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ