Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 52 A P, 表面 パッケージTO-252
- RS品番:
- 259-2569
- メーカー型番:
- IPB016N08NF2SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | ¥302.94 | ¥242,352 |
| 1600 - 7200 | ¥302.123 | ¥241,698 |
| 8000 - 11200 | ¥298.248 | ¥238,598 |
| 12000 - 15200 | ¥294.386 | ¥235,509 |
| 16000 + | ¥290.513 | ¥232,410 |
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- RS品番:
- 259-2569
- メーカー型番:
- IPB016N08NF2SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 52A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | iPB | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| チャンネルモード | P | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 52A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ iPB | ||
取付タイプ 表面 | ||
チャンネルモード P | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon StrongIRFET 2パワーMOSFETは、SMPS、モータ駆動、バッテリ駆動、バッテリ管理、UPS、軽電気自動車などの幅広い用途に最適化されています。この新しいテクノロジーは、以前のStrongIRFETデバイスに比べて最大40 %のRDS(on)の改善と最大60 %のQgの低減を実現し、高い電力効率により全体的なシステムパフォーマンスを向上させます。定格電流の増加により、より高い電流伝送能力を実現し、複数のデバイスを並列化する必要がなくなります。これにより、BOMコストと基板の節約が低減されます。
ディストリビューションパートナーから幅広く利用可能
優れた価格 / 性能比
高 / 低スイッチング周波数に最適
業界標準のフットプリントスルーホールパッケージ
高定格電流
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