Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 270 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

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RS品番:
260-5868
メーカー型番:
IRFP3006PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

270A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

15.87mm

高さ

20.7mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流270A、最大ドレインソース電圧60V - IRFP3006PBF


この高性能MOSFETは、効率と信頼性の向上を念頭に設計された、最新の電子アプリケーションに不可欠な部品です。このTO-247パッケージの寸法は、長さ15.87mm、幅5.31mm、高さ20.7mmである。さまざまな環境で効果的に動作し、電源管理の場面で大きな価値を発揮する。

特徴と利点


• 厳しい要件に対応する定格270Aの高連続ドレイン電流

• 多様な用途に対応する60Vドレイン・ソース能力

• 375Wの最大消費電力が堅牢なパフォーマンスをサポート

• より優れたシステム保護のための強化されたアバランチ機能

• スルーホールマウントにより、確実で信頼性の高い取り付けを実現

用途


• 高効率同期整流システムに利用

• 信頼性を確保する無停電電源装置に最適

• 高速パワースイッチングに有効

• ハードスイッチ回路や高周波回路に最適

連続運転条件下で期待できる熱性能は?


最高動作温度は+175℃で、高い熱負荷に確実に対応し、ジャンクションからケースまでの熱抵抗が効率的な放熱をサポートする。

ゲートしきい値電圧は、回路の性能にどのように寄与するのか?


最大ゲートしきい値電圧は4Vで、制御信号が効果的にMOSFETを活性化し、低電圧制御回路との相乗効果を発揮します。

Rds(on)が低いと回路効率はどうなりますか?


2.5mΩの低オン抵抗はエネルギー損失を大幅に低減し、特に電力集約型アプリケーションにおいて回路全体の効率を高め、発熱の低減と性能の持続性の向上につながる。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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