STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 800 V, 10 A, 0.6 Ω, 25.9 nC, 3ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 261-5484
- メーカー型番:
- STP80N450K6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 261-5484
- メーカー型番:
- STP80N450K6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | MDmesh K6 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.6Ω | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 25.9nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ MDmesh K6 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.6Ω | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 25.9nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronicsの超高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、スーパージャンクション技術に基づいた最高のMDmesh K6技術を使用して設計されています。これにより、優れた電力密度と高効率を必要とする用途に最適なエリア / ゲート充電あたりのオン抵抗が得られます。
世界最高のRDS(on) x エリア
世界最高のFOM(メリット数値)
超低ゲート充電
100 %アバランシェテスト済み
ツェナー保護
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