Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 55 V, 19 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 262-6743
- メーカー型番:
- IRF9Z34NSTRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 800 - 3200 | ¥81.478 | ¥65,182 |
| 4000 - 7200 | ¥79.851 | ¥63,881 |
| 8000 - 19200 | ¥78.253 | ¥62,602 |
| 20000 - 39200 | ¥76.693 | ¥61,354 |
| 40000 + | ¥75.158 | ¥60,126 |
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- RS品番:
- 262-6743
- メーカー型番:
- IRF9Z34NSTRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 19A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 19A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
InfineonパワーMOSFETは、最新の処理技術を採用し、シリコン面積あたりの抵抗が非常に低くなっています。この設計には、175 °Cの動作温度、高速スイッチング速度などの特長があります。
完全なアバランシェ等級
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