Renesas Electronics MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 100 A P, 表面, 4-Pin パッケージMP-25ZP (TO-263), NP100P06PDG-E1-AY

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梱包形態
RS品番:
264-1239
メーカー型番:
NP100P06PDG-E1-AY
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
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ブランド

ルネサス エレクトロニクス

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

NP100P06PDG

パッケージ型式

MP-25ZP (TO-263)

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.1mΩ

チャンネルモード

P

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

300nC

最大許容損失Pd

200W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

AEC-Q101

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
MY
ルネサス エレクトロニクスは、大電流スイッチングアプリケーション向けに設計されたPチャネル型MOS電界効果トランジスタを低電圧で提供します。最大ドレイン電流は100Aです。

最大ドレイン・ソース電圧：60 V

表面実装

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