Renesas Electronics MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 100 A P, 表面, 4-Pin パッケージMP-25ZP (TO-263)
- RS品番:
- 264-1238
- メーカー型番:
- NP100P06PDG-E1-AY
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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|---|---|---|
| 800 - 800 | ￥410.938 | ￥328,750 |
| 1600 - 7200 | ￥407.433 | ￥325,946 |
| 8000 - 11200 | ￥403.93 | ￥323,144 |
| 12000 - 15200 | ￥400.425 | ￥320,340 |
| 16000 + | ￥396.924 | ￥317,539 |
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- RS品番:
- 264-1238
- メーカー型番:
- NP100P06PDG-E1-AY
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | MP-25ZP (TO-263) | |
| シリーズ | NP100P06PDG | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.1mΩ | |
| チャンネルモード | P | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 200W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 300nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 MP-25ZP (TO-263) | ||
シリーズ NP100P06PDG | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.1mΩ | ||
チャンネルモード P | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 200W | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 300nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- MY
ルネサス エレクトロニクスは、大電流スイッチングアプリケーション向けに設計されたPチャネル型MOS電界効果トランジスタを低電圧で提供します。最大ドレイン電流は100Aです。
最大ドレイン・ソース電圧：60 V
表面実装