Microchip MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, -120 mA エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージSOT-23
- RS品番:
- 264-8950
- メーカー型番:
- VP2110K1-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
ボリュームディスカウント対象商品
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￥302,883.00
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥100.961 | ￥302,883 |
| 6000 - 27000 | ￥99.941 | ￥299,823 |
| 30000 - 42000 | ￥97.941 | ￥293,823 |
| 45000 - 57000 | ￥95.989 | ￥287,967 |
| 60000 + | ￥94.068 | ￥282,204 |
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- RS品番:
- 264-8950
- メーカー型番:
- VP2110K1-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -120mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| シリーズ | VP2110 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 12Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 最大許容損失Pd | 0.36W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.12mm | |
| 長さ | 2.9mm | |
| 幅 | 1.3 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id -120mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
シリーズ VP2110 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 12Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
最大許容損失Pd 0.36W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.12mm | ||
長さ 2.9mm | ||
幅 1.3 mm | ||
自動車規格 なし | ||
マイクロチップ社のPチャネル低しきい値エンハンスメントモード（通常オフ）MOSFETは、縦型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、この製品はバイポーラトランジスタの対応電力容量、MOSデバイス特有の高い入力インピーダンスと正の温度係数を兼ね備えています。MOS構造の特徴により、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次降伏の恐れがありません。縦型DMOS FETは、低しきい値電圧、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチングと増幅用途に最適です。
二次降伏なし
低消費電力
並列化が容易
低CISSと高速スイッチング
優れた熱安定性
ソース-ドレイン間ダイオード内蔵
高入力インピーダンスと高ゲイン