ローム MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 13 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 265-5414
- メーカー型番:
- R6013VND3TL1
- メーカー/ブランド名:
- ローム
ボリュームディスカウント対象商品
1 リール(1リール2500個入り) 小計：*
￥519,650.00
(税抜)
￥571,625.00
(税込)
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ￥207.86 | ￥519,650 |
| 5000 - 22500 | ￥205.772 | ￥514,430 |
| 25000 - 35000 | ￥201.644 | ￥504,110 |
| 37500 - 47500 | ￥197.62 | ￥494,050 |
| 50000 + | ￥193.66 | ￥484,150 |
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- RS品番:
- 265-5414
- メーカー型番:
- R6013VND3TL1
- メーカー/ブランド名:
- ローム
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ローム | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 13A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | R6013VND3 NaN | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.3Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 131W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 21nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS NaN | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ローム | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 13A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ R6013VND3 NaN | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.3Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 131W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 21nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS NaN | ||
自動車規格 なし | ||
ロームのパワーMOSFETは低オン抵抗、高出力パッケージで、スイッチング回路、単一セルバッテリ、モバイルなどの用途に適しています。
逆回復時間(trr)が短い
低オン抵抗
高速スイッチング
駆動回路が簡単