ローム シングルMOSFET, タイプPチャンネル -40 V エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252 （TL）, RD3G04BBJHRBTL

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梱包形態
RS品番:
687-383
メーカー型番:
RD3G04BBJHRBTL
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-40V

シリーズ

RD3G04BBJHRB

パッケージ型式

TO-252 （TL）

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

24.0mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

27.6nC

最大許容損失Pd

53W

最大ゲートソース電圧Vgs

5 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

幅

6.8 mm

規格 / 承認

RoHS, AEC-Q101

長さ

10.50mm

高さ

2.3mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
JP
ロームのパワーMOSFETは、高効率用途向けに特別に設計された卓越した性能を発揮します。このコンポーネントは、最大-40Vのドレインソース電圧と±40Aの連続電流処理で電力を効果的に管理し、さまざまなシステムでの電気負荷の管理に最適です。24.0mΩの低オン抵抗により、エネルギー損失を最小限に抑え、効率を向上させます。また、堅牢な熱特性により、ジャンクション温度が175°Cまで確実に動作します。この製品は、AEC-Q101に適合しているだけでなく、100%アバランシェテストも受けており、重要な環境でも信頼性の高い機能を保証します。自動車システム、照明、産業用制御などの用途に最適です。

低オン抵抗設計により、エネルギー損失を低減

優れた耐熱性により、高温環境での信頼性を向上

AEC Q101 認定により、車載用途における品質と性能を保証

100% アバランシェテストにより、過酷な条件下でも部品の信頼性を強化

エンボス包装により、取り扱いとシステムへの統合が容易

ADASや照明など、さまざまな用途に対応

±80 Aの高いパルスドレイン電流能力により、要求の厳しい負荷シナリオに対応

最小限のゲート充電でスイッチング速度を向上し、全体的な効率を向上

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