Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 66 A エンハンスメント型, PCBマウント, 4-Pin パッケージPowerPAK SO-8L, SQJ186ELP-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
268-8366
メーカー型番:
SQJ186ELP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

66A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8L

シリーズ

SQJ

取付タイプ

PCBマウント

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.032Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

135W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

45nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

4.9mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN
Vishay自動車用NチャンネルTrenchFET世代4パワーMOSFETは、鉛及びハロゲンフリーデバイスです。シングル構成デバイスで、動作温度に関係なく使用できます。

AEC Q101認定

ROHS準拠

UISテスト: 100 %

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