Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 45 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO263-3, IPB65R050CFD7AATMA1

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RS品番:
273-2775
メーカー型番:
IPB65R050CFD7AATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

45A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PG-TO263-3

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.05Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

102nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

227W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon MOSFETは、650 VのCoolMOS CFD7A電源デバイスで、Infineonの市場をリードする最新世代の自動車認定高電圧CoolMOS MOSFETです。自動車産業で必要とされる高品質と信頼性のよく知られた特性に加え、新しいCoolMOS CFD7Aシリーズは、高速ボディダイオードを内蔵し、ZVS相スイッチフルブリッジやLLCなどのPFC及び共振スイッチングトポロジに使用できます。

スイッチング損失の低減

高品質と信頼性

100 %バランステスト済み

高いバッテリ電圧に最適化

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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