Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 11.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TSDSON-8, BSZ12DN20NS3GATMA1

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RS品番:
273-5249
メーカー型番:
BSZ12DN20NS3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

11.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

BSZ12DN20NS3 G

パッケージ型式

PG-TSDSON-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

50W

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.5nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.5mm

規格 / 承認

IEC61249-2-21, JEDEC1

幅

40 mm

長さ

40mm

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは、NチャンネルパワーMOSFETです。このMOSFETは、優れたゲート充電を備えています。ターゲット用途と150 °Cの動作温度に対応するJEDEC準拠の認定を取得しています。DC-DC変換に最適化された製品です。

ハロゲンフリー

RoHS準拠

鉛フリーリードめっき

非常に低いオン抵抗

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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