Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TSDSON-8FL

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥803.00

(税抜)

¥883.30

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 90 は海外在庫あり(最終在庫)
単価
購入単位毎合計*
5 - 45¥160.60¥803
50 - 495¥158.20¥791
500 - 995¥155.80¥779
1000 - 2495¥153.60¥768
2500 +¥151.20¥756

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
273-5359
メーカー型番:
ISZ019N03L5SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PG-TSDSON-8FL

シリーズ

ISZ

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

44nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS

Infineon Power MOSFETは、高性能バックコンバータ向けに最適化された製品です。このパワーMOSFETは、優れたゲート充電を備えています。非常に低いオン抵抗を備え、JEDEC規格に準拠した認定を取得しています。

ハロゲンフリー

RoHS準拠

鉛フリーリードめっき

優れた耐熱性

関連ページ