型番

Infineon OptiMOSTM パワーMOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TSDSON-8FL

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仕様

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詳細情報

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	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ OptiMOSTM パワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 40A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 PG-TSDSON-8FL
	シリーズ ISZ
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 0.7V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17nC
	最大許容損失Pd 37W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS, JEDEC, IEC61249‑2‑21
	自動車規格なし

Infineonの低電圧パワーMOSFETは、幅広いアクセス性と競争力のある価格 / 性能比を実現します。

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