Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 19 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK 8 x 8, SIHH150N60E-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥1,135,848.00

(税抜)

￥1,249,434.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 3,000 は 2026年1月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 +￥378.616￥1,135,848

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
279-9913
メーカー型番:
SIHH150N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

19A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PowerPAK 8 x 8

シリーズ

SIHH

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.158Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

最大許容損失Pd

156W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

8mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay MOSFETは、EシリーズパワーMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

第4世代Eシリーズ技術

低メリット数値(FOM)ロン x Qg

低効果静電容量

アバランシェエネルギー定格

スイッチング及び伝導損失の削減

関連ページ