Vishay MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 19 A, 0.158 Ω, 36 nC, 4ピン, パッケージ：PowerPAK 8 x 8

RS品番:: 279-9913
メーカー型番:: SIHH150N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 19 A, 0.158 Ω, 36 nC, 4ピン, パッケージ：PowerPAK 8 x 8

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RS品番:: 279-9913
メーカー型番:: SIHH150N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

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その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	19A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	パッケージ型式	PowerPAK 8 x 8
	シリーズ	SIHH
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.158Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	156W
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	36nC
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	長さ	8mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 19A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	パッケージ型式 PowerPAK 8 x 8
	シリーズ SIHH
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.158Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 156W
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	長さ 8mm
	自動車規格なし

Datasheet - SIHH150N60E-T1-GE3

Vishay SIHHシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大連続ドレイン電流19A - SIHH150N60E-T1-GE3

このMOSFETは、表面実装アセンブリの電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、大きな連続電流をサポートするため、堅牢な電圧処理と耐熱性を必要とする要求の厳しい電子システムに適しています。

特長：

• 定格電圧 600V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 19 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 0.158Ωの低オン抵抗により、導通損失を低減
• 156Wの消費電力により、高い熱負荷を実現
• 36 nCゲート充電により、予測可能なスイッチング性能を実現
• Vgs 30 Vゲートリミットにより、ゲート過電圧保護を実現

用途

• 高電圧電力コンバータおよびインバータに適合
• 産業機器のスイッチング電源に最適
• 強力な電流能力を必要とするモータードライブに使用
• 通信システムの堅牢な電源スイッチングに使用可能
• コンパクトな表面実装電源モジュールに最適

動作中にどのような温度条件に耐えられますか?

定格動作温度範囲は-55°C～150°Cで、極端な温度範囲の環境での使用が可能です。

プリント基板の統合にはどのような取り付けタイプが必要ですか?

基板直接はんだ付け用のPowerPAK 8x8表面実装パッケージで提供されます。

このコンポーネントは、どのくらいの電気接続を提供しますか?

このデバイスは、ゲート、ドレイン、ソースレイアウト要件に対応する4ピン構成を備えています。

スイッチングにはどのようなチャンネル伝導モードを使用しますか?

エンハンスメントモードNチャンネルデバイスで、正のゲートソース電圧が適用されると伝導します。