STMicroelectronics MOSFET, タイプN, タイプPチャンネル 650 V, 9.7 A エンハンスメント型, 表面, 31-Pin パッケージQFN-9, MASTERGAN1LTR

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梱包形態
RS品番:
287-7041
メーカー型番:
MASTERGAN1LTR
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

MASTERG

パッケージ型式

QFN-9

取付タイプ

表面

ピン数

31

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

220mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

40mW

動作温度 Min

-40°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2nC

動作温度 Max

125°C

規格 / 承認

RoHS, ECOPACK

長さ

9mm

幅

9 mm

高さ

1mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
TH
STマイクロエレクトロニクスのマイクロコントローラは、ハーフブリッジ構成のゲート・ドライバと2つのエンハンスメント・モードGaNトランジスタを統合したパッケージの先進的な電源システムです。内蔵パワーGaNは、RDS(ON)が150mΩ、ドレイン・ソース間ブロッキング電圧が650Vで、内蔵ゲート・ドライバのハイサイドは、内蔵ブートストラップ・ダイオードによって容易に供給できる。

逆回復ロスゼロ

VCC上のUVLO保護

内部ブートストラップダイオード

インターロック機能

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