STMicroelectronics MOSFET, タイプN, タイプPチャンネル, 650 V, 9.7 A, 220 mΩ, 2 nC, 31ピン, パッケージ：QFN-9
- RS品番:
- 287-7040
- メーカー型番:
- MASTERGAN1LTR
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 287-7040
- メーカー型番:
- MASTERGAN1LTR
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | QFN-9 | |
| シリーズ | MASTERG | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 31 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 220mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 2nC | |
| 最大許容損失Pd | 40mW | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| 長さ | 9mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 幅 | 9mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS, ECOPACK | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 9.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 QFN-9 | ||
シリーズ MASTERG | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 31 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 220mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2nC | ||
最大許容損失Pd 40mW | ||
動作温度 Max 125°C | ||
長さ 9mm | ||
高さ 1mm | ||
幅 9mm | ||
規格 / 承認 RoHS, ECOPACK | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- TH
STマイクロエレクトロニクスのマイクロコントローラは、ハーフブリッジ構成のゲート・ドライバと2つのエンハンスメント・モードGaNトランジスタを統合したパッケージの先進的な電源システムです。内蔵パワーGaNは、RDS(ON)が150mΩ、ドレイン・ソース間ブロッキング電圧が650Vで、内蔵ゲート・ドライバのハイサイドは、内蔵ブートストラップ・ダイオードによって容易に供給できる。
逆回復ロスゼロ
VCC上のUVLO保護
内部ブートストラップダイオード
インターロック機能
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