STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 54 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247-4, STW65N045M9-4

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梱包形態
RS品番:
287-7055
メーカー型番:
STW65N045M9-4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

54A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

STW65N

パッケージ型式

TO-247-4

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

最大許容損失Pd

312W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STマイクロエレクトロニクスのパワーMOSFETは、最も革新的なスーパージャンクションMDmesh M9技術に基づいています。シリコンをベースとするM9技術は、マルチドレイン製造プロセスの恩恵を受けており、デバイス構造の強化が可能である。その結果、この製品は、シリコンベースの高速スイッチング・スーパージャンクション・パワーMOSFETの中で、最も低いオン抵抗と低減されたゲート電荷値を持ち、優れた電力密度と卓越した効率を必要とするアプリケーションに特に適している。

より高い dv/dt 能力

優れたスイッチング性能

駆動が容易

100%アバランシェ試験済み

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