STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 69 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
- RS品番:
- 761-0635
- メーカー型番:
- STW77N65M5
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 761-0635
- メーカー型番:
- STW77N65M5
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
STMicroelectronics N チャンネル MDmesh ™ M5 シリーズ
MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 69 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
| パッケージタイプ | TO-247 |
| シリーズ | MDmesh M5 |
| 実装タイプ | スルーホール |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 38 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
| 最大パワー消費 | 400 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | +25 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 5.15mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 185 nC @ 10 V |
| 長さ | 15.75mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 高さ | 20.15mm |
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