- RS品番:
- 354-4985
- メーカー型番:
- FDC6321C
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
57 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
単価: 購入単位は 個
¥103.00
(税抜)
¥113.30
(税込)
個 | 単価 |
---|---|
1 - 59 | ¥103.00 |
60 - 599 | ¥100.00 |
600 - 1199 | ¥73.00 |
1200 - 2399 | ¥58.00 |
2400 + | ¥45.00 |
- RS品番:
- 354-4985
- メーカー型番:
- FDC6321C
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
デジタルFET、Fairchild Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N, P |
最大連続ドレイン電流 | 460 mA, 680 mA |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 25 V |
パッケージタイプ | SOT-23 |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 6 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 1.1 Ω, 450 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最低ゲートしきい値電圧 | 0.65V |
最大パワー消費 | 900 mW |
トランジスタ構成 | 絶縁型 |
最大ゲート-ソース間電圧 | -8 V, +8 V |
動作温度 Max | +150 °C |
長さ | 3mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 1.1 nC @ 4.5 V、1.64 nC @ 4.5 V |
幅 | 1.7mm |
1チップ当たりのエレメント数 | 2 |
トランジスタ素材 | Si |
高さ | 1mm |
動作温度 Min | -55 °C |
関連ページ
- onsemi N, Pチャンネル MOSFET25 V 460 mA, 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン
- onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン
- onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
- onsemi Pチャンネル MOSFET25 V 460 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-223 準拠 3 ピン
- DiodesZetex Nチャンネル MOSFET50 V 460 mA 表面実装 パッケージSOT-363 3 ピン
- DiodesZetex Pチャンネル MOSFET20 V 460 mA 表面実装 パッケージSOT-523 (SC-89) 3 ピン
- onsemi N, Pチャンネル MOSFET60 V 340 mA, 510 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン