インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 6.5 A, 表面実装, 3 ピン, IRLL3303PBF

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RS品番:
540-9890
メーカー型番:
IRLL3303PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

6.5 A

最大ドレイン-ソース間電圧

30 V

シリーズ

HEXFET

パッケージタイプ

SOT-223

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

31 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

1V

最低ゲートしきい値電圧

1V

最大パワー消費

2.1 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-16 V, +16 V

標準ゲートチャージ @ Vgs

34 nC @ 10 V

トランジスタ素材

Si

動作温度 Max

+150 °C

1チップ当たりのエレメント数

1

長さ

6.7mm

幅

3.7mm

動作温度 Min

-55 °C

高さ

1.7mm

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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