インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 38 A, スルーホール, 3 ピン, IRFP4137PBF

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梱包形態
RS品番:
784-8944
メーカー型番:
IRFP4137PBF
メーカー/ブランド名:
Infineon
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ブランド

Infineon

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

38 A

最大ドレイン-ソース間電圧

300 V

パッケージタイプ

TO-247AC

シリーズ

HEXFET

実装タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

69 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

5V

最低ゲートしきい値電圧

3V

最大パワー消費

341 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

1チップ当たりのエレメント数

1

動作温度 Max

+175 °C

標準ゲートチャージ @ Vgs

83 nC @ 10 V

長さ

16.13mm

トランジスタ素材

Si

幅

5.2mm

高さ

21.1mm

動作温度 Min

-55 °C

順方向ダイオード電圧

1.3V

COO（原産国）:
MX

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon


モータ制御MOSFET


Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。

同期整流MOSFET


AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流38A、最大消費電力341W - IRFP4137PBF


このNチャネルMOSFETは、最大ドレイン・ソース間電圧300Vに対応しながら、最大38Aの連続ドレイン電流に対応する高電力アプリケーション向けに設計されています。そのエンハンスメント・モード構成は、電子回路の効率と性能を向上させ、さまざまな産業用途の主要部品となっている。MOSFETは堅牢で、厳しい条件下でも信頼できる動作を保証します。

特徴と利点


• 高効率同期整流で省エネに貢献
• ゲート、アバランシェ、ダイナミック耐久性が向上し、耐久性が向上
• 低Rds(on)定格により、動作中の電力損失を最小化
• 最高+175°Cまで耐える熱性能

用途


• スイッチモード電源の同期整流に利用
• ハードスイッチングおよび高周波回路設計に最適
• 信頼性向上のため無停電電源装置に採用

安全な動作のために許容されるゲート・ソース間電圧の最大値は？


このデバイスは、最大±20Vのゲート・ソース間電圧を安全に扱うことができ、さまざまなアプリケーションでの互換性を保証します。

高出力用途でこのデバイスを効果的に冷却するにはどうすればいいのか？


効果的な冷却は、適切なヒートシンクを取り付け、適切なエアフローを確保し、動作中のジャンクション温度を175℃以内に維持することで達成できる。

このMOSFETはどのような回路構成に対応できますか？


シングル・トランジスタ構成に適しており、多様な回路設計に高効率で組み込むことができる。

温度が高くなると性能はどうなるのか？


高温では、連続ドレイン電流定格が低下する

100℃での定格は27Aで、25℃での定格は38Aである。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。



MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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