Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 17 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IRF530NPBF
- RS品番:
- 541-0755
- Distrelec 品番:
- 303-41-282
- メーカー型番:
- IRF530NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 541-0755
- Distrelec 品番:
- 303-41-282
- メーカー型番:
- IRF530NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 17A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 90mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 37nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大許容損失Pd | 70W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.54mm | |
| 幅 | 4.69 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 8.77mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| Distrelec Product Id | 30341282 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 17A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 90mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 37nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大許容損失Pd 70W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.54mm | ||
幅 4.69 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 8.77mm | ||
自動車規格 なし | ||
Distrelec Product Id 30341282 | ||
インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流17A、最大電力損失70W - IRF530NPBF
このハイパワーMOSFETは、効率的なスイッチング・アプリケーション向けに設計されており、さまざまな環境下で堅牢な性能を発揮します。そのNチャンネル・エンハンスメント・モード構成は、効果的な電流管理が重要な数多くの電子・電気アプリケーションに適している。主な仕様は、最新のオートメーションおよび制御システムにおける重要なコンポーネントとして位置づけられている。
特徴と利点
• 90mΩの低オン抵抗が効率を高める
• 最大ドレイン電流17A
• 動作温度範囲 -55°C～+175°C
• 高速スイッチングによりエネルギー損失を低減
• 堅牢な設計で負荷時の信頼性を向上
• 汎用性の高いTO-220ABパッケージにより、組み込みが容易
用途
• 産業オートメーションにおける電源管理
• モーター制御回路への統合
• 電圧調整用電源システムでの利用
• 高効率コンバータおよびインバータへの応用
• 動的な負荷サポートが必要な家電製品に最適
最適な動作に必要な特定のゲート電圧はありますか？
このデバイスは、-20V～+20Vのゲート・ソース間電圧範囲で効果的に動作し、信頼性の高いスイッチング機能を確保する。
このデバイスの最大パルス・ドレイン電流能力は？
最大パルスドレイン電流は定格60Aで、デバイスの完全性を損なうことなく過渡状態に対応できます。
熱抵抗値は性能にどのように影響しますか？
ジャンクションからケースまでの熱抵抗は2.15℃/Wで、効果的な放熱は高負荷動作時の性能維持に不可欠である。
この部品をハンダ付けする際、どのような点に注意すべきでしょうか？
推奨はんだ付け温度は300℃、10秒です。損傷を防ぐためには、このガイドラインを守ることが重要である。
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。