Infineon MOSFET, Nチャンネル, 18 A, スルーホール, 3 ピン, IRF640NPBF

InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

このMOSFETは高効率スイッチング・アプリケーション向けで、さまざまな電子システムに信頼性の高いソリューションを提供します。そのNチャンネル構成は、最小のオン抵抗と高い信頼性を保証し、産業および商業環境の電源管理に適しています。このコンポーネントは、オートメーションおよび電気部門のユーザー向けに特別に設計されており、アプリケーションでの最適なパフォーマンスを保証します。

• 最大18Aの連続ドレイン電流で強力なパワーハンドリングを実現
• 200Vまでの電圧レベルで効果的に動作し、汎用性を向上
• 低オン抵抗で動作中のエネルギー損失を最小化
• 簡素化された駆動要件により、回路への組み込みが容易
• 安全性と性能を向上させる完全なアバランチ規格

• 産業オートメーション用電源回路に使用
• モーター制御に最適 ロボット工学
• ソーラーインバータなどの再生可能エネルギーシステムに最適
• 電気機器のパワー・スイッチング・システムに採用
• オーディオ機器の増幅段に使用

デバイスは-55℃から+175℃の範囲で効率的に機能し、性能を損なうことなくさまざまな温度環境で使用できる。

MOSFETは±20Vのゲート・ソース間電圧レベルをサポートし、安全な動作を保証し、スイッチング動作中の損傷を防ぎます。

そう、完全なアバランシェ定格であるため、短時間の電圧スパイクに耐えることができ、困難なアプリケーションでの性能が向上する。

低オン抵抗は動作中の電力損失を大幅に削減し、パワー・マネージメント・アプリケーションのエネルギー効率を向上させます。

MOSFETトランジスタ、Infineon

Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。