Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 9.4 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージIPAK

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RS品番:
541-1613
Distrelec 品番:
303-41-373
メーカー型番:
IRFU120NPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

9.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

IPAK

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

210mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

48W

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

6.6mm

高さ

6.1mm

幅

2.3 mm

規格 / 承認

No

Distrelec Product Id

30341373

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流9.4A、最大ドレインソース電圧100V - IRFU120NPBF


このNチャネルMOSFETは、電子・電気分野の高性能アプリケーション向けに設計されています。最大連続ドレイン電流9.4A、ドレイン・ソース間電圧100Vのこのデバイスは、さまざまなシステムで信頼性の高い機能を提供します。IPAKのTO-251ケースに収められたMOSFETは、効率的なパワーハンドリングのためのコンパクトなソリューションを提供します。

特徴と利点


• エンハンスメントモード動作用に設計され、信頼性の高いスイッチングを提供

• 48Wの高い電力消費能力でパフォーマンスを向上

• 堅牢な電子設計における大電流アプリケーションに最適

• シングルSi MOSFET構成により、シンプルなインテグレーションを実現

用途


• オートメーションシステムの電源管理ソリューションに使用

• 産業機械のモーター制御回路に使用

• 再生可能エネルギーシステム用パワーコンバーターに活用

• 信頼性の高い電力供給を必要とする家電製品に最適

• 電気的および機械的なモータードライブに不可欠

Rds(on)の値が低いことの意味は？


Rds(on)値が210mΩと低いため、オン状態の抵抗が最小限に抑えられ、動作時の効率向上と発熱の低減につながる。この特性は、電力損失が大きい高周波用途で特に重要である。

極端な温度下でのMOSFETの性能は？


最高動作温度+175℃、最低動作温度-55℃のこのデバイスは、厳しい環境でも安定した性能を維持できるよう設計されている。この弾力性により、温度変動が一般的なさまざまな用途に適している。

エンハンスメント・モードは、回路設計者にとってどのようなメリットがありますか？


エンハンスメント・モードでは、トランジスタを通常オフにすることができるため、回路の安定性が向上し、非アクティブ時に不要な電流が流れるのを防ぐことができる。この機能により、設計者はシステムの電源管理をよりコントロールしやすくなります。

このMOSFETは大電力用途に使用できますか？


そう、48Wの電力損失能力と最大連続ドレイン電流9.4Aを持つこのMOSFETは、大電力アプリケーションに適している。その堅牢性は、厳しい電気環境における信頼性を保証します。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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