Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 17 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージIPAK, IRFU024NPBF

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RS品番:
168-6296
メーカー型番:
IRFU024NPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

17A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

IPAK

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

75mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

45W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

6.22mm

幅

2.39 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MX

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流17A、最大許容損失45W - IRFU024NPBF


この高性能NチャンネルMOSFETは、様々な電気的用途に適しています。最大連続ドレイン電流17A、最大ドレイン・ソース間電圧55Vなどの仕様を持つこの部品は、オートメーションやエレクトロニクス分野の専門家にとって重要である。高温環境下での動作能力は、要求の厳しいプロジェクトでの信頼性に貢献している。

特徴と利点


• 最大消費電力は45Wで堅牢な動作を実現

• ドレイン・ソース間抵抗が75mΩと低く、エネルギー効率を向上

• 最大ゲートしきい値4Vで性能向上

• 単一トランジスタ構成で設計統合を簡素化

• TO-251パッケージのスルーホール実装用に設計されており、取り付けが容易

用途


• パワー・マネージメント・システムに使用し、効率を高める

• 高周波スイッチングに最適

• 安定した性能を保証する自動車用電子機器に最適

• 産業オートメーションの制御システムに採用

• シグナル・インテグリティを維持するため、電気通信に適している。

最大連続ドレイン電流は？


サポートされる最大連続ドレイン電流は17Aで、大きなパワーハンドリングを必要とする様々なアプリケーションに適している。

温度はパフォーマンスにどう影響するのか？


このコンポーネントは、-55℃から+175℃までの広い温度範囲で効果的に動作し、過酷な条件下でも安定性を確保する。

ゲート・ソース間電圧の変化に対応できますか？


ゲート・ソース電圧は-20Vから+20Vまで対応し、回路設計の柔軟性を提供します。

ドレイン・ソース間抵抗が低いことの意味は？


ドレイン・ソース間抵抗が75mΩと低いため、発熱が抑えられ、高性能アプリケーションに不可欠な効率が向上する。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V


インフィニオンのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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