Infineon MOSFET, Nチャンネル, 200 V, 65 A, 24 mΩ, 70 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220

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RS品番:
650-4277
メーカー型番:
IRFB4227PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

65A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

24mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

70nC

動作温度 Min

-40°C

最大許容損失Pd

330W

最大ゲートソース電圧Vgs

-30V, +30V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

高さ

9.02mm

長さ

10.66mm

幅

4.82mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧200V、最大連続ドレイン電流65A - IRFB4227PBF


このMOSFETは、要求の厳しい電子システムの電源スイッチングおよび制御用に設計された高電流Nチャンネル強化デバイスです。広い温度範囲で動作し、従来の基板実装に適したスルーホールTO-220パッケージで提供されます。このデバイスはRoHS要件に適合し、継続的な電流処理と耐熱性を必要とする用途向けに設計されています。

特長および利点:


• 24mΩの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 330Wの消費電力により、持続的な熱負荷処理が可能
• 70nCのゲート充電により、スイッチングトランジションの迅速化を実現
• 30Vのゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンをサポート
• -40°C~175°C定格により、幅広い動作環境をサポート

用途


• 高電流DCモーターコントローラーに最適
• スイッチング電源およびコンバータに最適
• バッテリ管理および配電システムに使用
• 産業用インバータステージに使用可能
• スルーホール基板の汎用電源スイッチングに最適

このデバイスのパッケージと取り付けスタイルはどのようなものですか?


TO-220パッケージで提供され、スルーホール取り付け用です。

どのような極端な動作温度に耐えられますか?


定格動作温度範囲は-40°C~175°Cです。

このデバイスは、規制材料の制限にどのように対応しますか?


有害物質を制限するRoHS規格に適合しています。

チャンネルタイプと導通モードは何ですか?


エンハンスメントモードで動作するNチャンネルデバイスです。

ゲートおよびドレイン電圧制限は何ですか?


ゲートの定格は±30Vで、ドレイン-ソースの最大電圧は200Vです。

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