onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 150 V, 1.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージMLP, FDMC2523P
- RS品番:
- 671-0387
- メーカー型番:
- FDMC2523P
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥223.80 | ￥1,119 |
| 150 - 1420 | ￥198.00 | ￥990 |
| 1425 - 1895 | ￥172.00 | ￥860 |
| 1900 - 2395 | ￥146.80 | ￥734 |
| 2400 + | ￥121.00 | ￥605 |
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- RS品番:
- 671-0387
- メーカー型番:
- FDMC2523P
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | MLP | |
| シリーズ | QFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.6Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 順方向電圧 Vf | -5V | |
| 最大許容損失Pd | 42W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 3 mm | |
| 高さ | 0.95mm | |
| 長さ | 3mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 MLP | ||
シリーズ QFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.6Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
順方向電圧 Vf -5V | ||
最大許容損失Pd 42W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.2nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 3 mm | ||
高さ 0.95mm | ||
長さ 3mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Fairchild Semiconductor QFET® PチャンネルMOSFET
Fairchild Semiconductorの最新のQFET®プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC（力率補正）、DC-DCコンバータ、PDP（プラズマディスプレイパネル）、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。
オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFET®プロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数（FOM）を提供することができます。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。