onsemi MOSFET, Nチャンネル, 1 A, 表面実装, 3 ピン, FQD1N80TM

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梱包形態
RS品番:
671-0986
メーカー型番:
FQD1N80TM
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

1 A

最大ドレイン-ソース間電圧

800 V

パッケージタイプ

DPAK (TO-252)

シリーズ

QFET

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

20 Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

3V

最大パワー消費

2500 mW

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-30 V, +30 V

標準ゲートチャージ @ Vgs

5.5 nC @ 10 V

長さ

6.6mm

1チップ当たりのエレメント数

1

トランジスタ素材

Si

幅

6.1mm

動作温度 Max

+150 °C

高さ

2.3mm

動作温度 Min

-55 °C

COO（原産国）:
MY

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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