onsemi MOSFET, Pチャンネル, 5.4 A, 表面実装, 3 ピン, FQD7P06TM
- RS品番:
- 671-1030
- メーカー型番:
- FQD7P06TM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
取扱終了
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- RS品番:
- 671-1030
- メーカー型番:
- FQD7P06TM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 5.4 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V | |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 451 m Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V | |
| 最大パワー消費 | 2500 mW | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -25 V, +25 V | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 6.3 nC @ 10 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 2.39mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ P | ||
最大連続ドレイン電流 5.4 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 60 V | ||
パッケージタイプ DPAK (TO-252) | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 451 m Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最低ゲートしきい値電圧 2V | ||
最大パワー消費 2500 mW | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -25 V, +25 V | ||
幅 6.22mm | ||
長さ 6.73mm | ||
トランジスタ素材 Si | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 6.3 nC @ 10 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 2.39mm | ||
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