onsemi MOSFET, Pチャンネル, 5.4 A, 表面実装, 3 ピン, FQD7P06TM

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梱包形態
RS品番:
671-1030
メーカー型番:
FQD7P06TM
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

P

最大連続ドレイン電流

5.4 A

最大ドレイン-ソース間電圧

60 V

パッケージタイプ

DPAK (TO-252)

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

451 m Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

2V

最大パワー消費

2500 mW

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-25 V, +25 V

動作温度 Max

+150 °C

トランジスタ素材

Si

幅

6.22mm

1チップ当たりのエレメント数

1

長さ

6.73mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

6.3 nC @ 10 V

動作温度 Min

-55 °C

高さ

2.39mm

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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