- RS品番:
- 671-0996
- メーカー型番:
- FQD2N80TM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
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125 - 1245 | ¥85.60 | ¥428.00 |
1250 - 2495 | ¥79.40 | ¥397.00 |
2500 - 4995 | ¥73.00 | ¥365.00 |
5000 + | ¥66.80 | ¥334.00 |
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- RS品番:
- 671-0996
- メーカー型番:
- FQD2N80TM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
QFET® NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor製の新しいQFET®平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。
これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET®プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET®プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 1.8 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 800 V |
パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
シリーズ | QFET |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 6.3 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
最大パワー消費 | 2500 mW |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
トランジスタ素材 | Si |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
長さ | 6.6mm |
幅 | 6.1mm |
動作温度 Max | +150 °C |
動作温度 Min | -55 °C |
高さ | 2.3mm |
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