型番

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 8 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, NTD600N80S3Z

RS品番:: 229-6456
メーカー型番:: NTD600N80S3Z
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 8 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, NTD600N80S3Z

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125 - 1195	￥349.00	￥1,745
1200 - 1595	￥298.40	￥1,492
1600 - 1995	￥249.20	￥1,246
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RS品番:: 229-6456
メーカー型番:: NTD600N80S3Z
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	800V
	シリーズ	SUPERFET III
	パッケージ型式	TO-252
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	600mΩ
	チャンネルモード	N
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	15.5nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	60W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	175°C
	幅	2.39 mm
	長さ	6.73mm
	規格 / 承認	No
	高さ	6.22mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V
	シリーズ SUPERFET III
	パッケージ型式 TO-252
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 600mΩ
	チャンネルモード N
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15.5nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 60W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 175°C
	幅 2.39 mm
	長さ 6.73mm
	規格 / 承認 No
	高さ 6.22mm
	自動車規格なし

ON Semiconductor SUPERFET III シリーズ MOSFET を使用すれば、ラップトップアダプタ、オーディオ、照明、 ATX 電源、産業用電源などのスイッチング電源用途で並外れた性能を発揮するので、効率的でコンパクトな、クーラー付きの堅牢な用途が実現します。

低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮

低スイッチング損失

ツェナーダイオードによる ESD 改善機能

静電容量の最適化

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 8 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, NTD600N80S3Z

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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