onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 900 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, NDS352AP
- RS品番:
- 671-1084
- メーカー型番:
- NDS352AP
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥635.00
(税抜)
￥698.50
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 40 は 2025年12月29日 に入荷予定
- 3,560 は 2026年1月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 140 | ￥63.50 | ￥635 |
| 150 - 1390 | ￥55.10 | ￥551 |
| 1400 - 1890 | ￥46.70 | ￥467 |
| 1900 - 2390 | ￥39.60 | ￥396 |
| 2400 + | ￥31.00 | ￥310 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 671-1084
- メーカー型番:
- NDS352AP
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 900mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | NDS352AP | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 500mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 500mW | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 2nC | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 2.92mm | |
| 高さ | 0.94mm | |
| 幅 | 1.4 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 900mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ NDS352AP | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 500mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 500mW | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2nC | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 2.92mm | ||
高さ 0.94mm | ||
幅 1.4 mm | ||
自動車規格 なし | ||
拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor
ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。
特長と利点:
•電圧制御の P チャネル小信号スイッチ
•高密度セル設計
•高い飽和電流
•優れたスイッチング
•耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス
• DMOS テクノロジー
用途:
•負荷スイッチング
• DC/DC コンバータ
•バッテリー保護
•電源管理制御
• DC モータ制御
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。