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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	P
	最大連続ドレイン電流	11.5 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	200 V
	パッケージタイプ	TO-220AB
	シリーズ	QFET
	実装タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗	470 m Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最低ゲートしきい値電圧	3V
	最大パワー消費	120000 mW
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	-30 V, +30 V
	標準ゲートチャージ @ Vgs	31 nC @ 10 V
	幅	4.7mm
	トランジスタ素材	Si
	1チップ当たりのエレメント数	1
	長さ	10.1mm
	動作温度 Max	+150 °C
	動作温度 Min	-55 °C
	高さ	9.4mm

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプ P
	最大連続ドレイン電流 11.5 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 200 V
	パッケージタイプ TO-220AB
	シリーズ QFET
	実装タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗 470 m Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最低ゲートしきい値電圧 3V
	最大パワー消費 120000 mW
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V
	標準ゲートチャージ @ Vgs 31 nC @ 10 V
	幅 4.7mm
	トランジスタ素材 Si
	1チップ当たりのエレメント数 1
	長さ 10.1mm
	動作温度 Max +150 °C
	動作温度 Min -55 °C
	高さ 9.4mm

Fairchild Semiconductor QFET® PチャンネルMOSFET

Fairchild Semiconductorの最新のQFET®プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC（力率補正）、DC-DCコンバータ、PDP（プラズマディスプレイパネル）、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。
オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFET®プロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数（FOM）を提供することができます。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi

ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

onsemi MOSFET, Pチャンネル, 11.5 A, スルーホール, 3 ピン, FQP12P20

Fairchild Semiconductor QFET® PチャンネルMOSFET

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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