onsemi PチャンネルQFET MOSFET, タイプPチャンネル 500 V, 2.7 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, FQP3P50

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梱包形態
RS品番:
671-5118
メーカー型番:
FQP3P50
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

PチャンネルQFET MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大ドレイン-ソース間電圧(Vds)

500 V

最大連続ドレイン電流(Id)

2.7 A

チャンネルモード

エンハンスメント型

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

自動車規格

なし

順方向電圧 (Vf)

-5 V

高さ

9.4 mm

長さ

10.1 mm

最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds)

4.9 Ω

最大ゲートソース電圧(Vgs)

30 V

動作温度 (Max)

150 °C

最大許容損失(Pd)

85 W

動作温度 (Min)

55 °C

シリーズ

QFET

規格 / 承認

No

標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs

18 nC

幅

4.7 mm

Fairchild Semiconductor QFET® PチャンネルMOSFET


FairFairchild Semiconductorの新しいQFET®プラナーMOSFETは、高度な独自技術を採用し、電源、PFC (パワーファクタ補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、照明バラスト、モーション制御など、幅広い用途に最高の動作性能を発揮します。

オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。Fairchildは、Advanced QFET®プロセス技術を使用することで、競合するプラナールMOSFETデバイスよりも優れたメリット数値(FOM)を提供できます。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


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ONセミMOSFETは、電圧スパイクやオーバーショットの低減、ジャンクション静電容量の低減、逆回復電荷の低減、システムを長時間動作させるための追加の外部コンポーネントの排除など、優れた設計信頼性を実現します。

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