onsemi PチャンネルQFET MOSFET, タイプPチャンネル 500 V, 2.7 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, FQP3P50

RS品番:: 671-5118
メーカー型番:: FQP3P50
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi PチャンネルQFET MOSFET, タイプPチャンネル 500 V, 2.7 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, FQP3P50

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RS品番:: 671-5118
メーカー型番:: FQP3P50
メーカー/ブランド名:: onsemi

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	PチャンネルQFET MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大ドレイン-ソース間電圧(Vds)	500 V
	最大連続ドレイン電流(Id)	2.7 A
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	パッケージ型式	JEDEC TO-220AB
	自動車規格	なし
	順方向電圧 (Vf)	-5 V
	高さ	9.4 mm
	長さ	10.1 mm
	最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds)	4.9 Ω
	最大ゲートソース電圧(Vgs)	30 V
	動作温度 (Max)	150 °C
	最大許容損失(Pd)	85 W
	動作温度 (Min)	55 °C
	シリーズ	QFET
	規格 / 承認	No
	標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs	18 nC
	幅	4.7 mm

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ PチャンネルQFET MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 500 V
	最大連続ドレイン電流(Id) 2.7 A
	チャンネルモードエンハンスメント型
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	パッケージ型式 JEDEC TO-220AB
	自動車規格なし
	順方向電圧 (Vf) -5 V
	高さ 9.4 mm
	長さ 10.1 mm
	最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 4.9 Ω
	最大ゲートソース電圧(Vgs) 30 V
	動作温度 (Max) 150 °C
	最大許容損失(Pd) 85 W
	動作温度 (Min) 55 °C
	シリーズ QFET
	規格 / 承認 No
	標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 18 nC
	幅 4.7 mm

Fairchild Semiconductor QFET® PチャンネルMOSFET

Fairchild Semiconductorの最新のQFET®プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC（力率補正）、DC-DCコンバータ、PDP（プラズマディスプレイパネル）、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。

オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFET®プロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数（FOM）を提供することができます。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi

ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

onsemi PチャンネルQFET MOSFET, タイプPチャンネル 500 V, 2.7 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, FQP3P50

Fairchild Semiconductor QFET® PチャンネルMOSFET

MOSFET トランジスタ、 ON Semi

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