onsemi MOSFET, タイプNチャンネル, 10 A, スルーホール 100 V, 3-Pin エンハンスメント型, FQU13N10LTU パッケージIPAK
- RS品番:
- 671-5348
- メーカー型番:
- FQU13N10LTU
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
取扱終了
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- RS品番:
- 671-5348
- メーカー型番:
- FQU13N10LTU
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | QFET | |
| パッケージ型式 | IPAK | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 180mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.6mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 6.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ QFET | ||
パッケージ型式 IPAK | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 180mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.7nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.6mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 6.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
Fairchild Semiconductor QFET® NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A
FairFairchild Semiconductorの新しいQFET®プラナーMOSFETは、高度な独自技術を採用し、電源、PFC (パワーファクタ補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、照明バラスト、モーション制御など、幅広い用途に最高の動作性能を発揮します。
オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。Fairchildは、Advanced QFET®プロセス技術を使用することで、競合するプラナールMOSFETデバイスよりも優れたメリット数値(FOM)を提供できます。
MOSFETトランジスタ、ONセミ
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ONセミMOSFETは、電圧スパイクやオーバーショットの低減、ジャンクション静電容量の低減、逆回復電荷の低減、システムを長時間動作させるための追加の外部コンポーネントの排除など、優れた設計信頼性を実現します。
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