onsemi MOSFET, Pチャンネル, 9.4 A, スルーホール, 3 ピン, FQU11P06TU

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RS品番:
671-5335
メーカー型番:
FQU11P06TU
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

P

最大連続ドレイン電流

9.4 A

最大ドレイン-ソース間電圧

60 V

パッケージタイプ

IPAK (TO-251)

実装タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

185 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

2V

最大パワー消費

2500 mW

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-30 V, +30 V

トランジスタ素材

Si

幅

2.3mm

1チップ当たりのエレメント数

1

動作温度 Max

+150 °C

長さ

6.6mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

13 nC @ 10 V

高さ

6.1mm

動作温度 Min

-55 °C

拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor


ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。

特長と利点:


•電圧制御の P チャネル小信号スイッチ
•高密度セル設計
•高い飽和電流
•優れたスイッチング
•耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス
• DMOS テクノロジー

用途:


•負荷スイッチング
• DC/DC コンバータ
•バッテリー保護
•電源管理制御
• DC モータ制御


MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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