onsemi MOSFET, シングル, 60 V, 9.4 A, 185 mΩ, 3ピン, パッケージ：IPAK (TO-251)
- RS品番:
- 671-5335
- メーカー型番:
- FQU11P06TU
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 671-5335
- メーカー型番:
- FQU11P06TU
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 60 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 9.4 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 185 mΩ | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | IPAK (TO-251) | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | -30 V, +30 V | |
| 動作温度 (Max) | +150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 2.5 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 60 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 9.4 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 185 mΩ | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 IPAK (TO-251) | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) -30 V, +30 V | ||
動作温度 (Max) +150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 2.5 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
Features and Benefits:
• Voltage controlled P-Channel small signal switch
• High-Density cell design
• High saturation current
• Superior switching
• Great rugged and reliable performance
• DMOS technology
Applications:
• Load Switching
• DC/DC converter
• Battery protection
• Power management control
• DC motor control
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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