onsemi MOSFET, シングル, 60 V, 9.4 A, 185 mΩ, 3ピン, パッケージ：IPAK (TO-251)
- RS品番:
- 671-5335
- メーカー型番:
- FQU11P06TU
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 671-5335
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- FQU11P06TU
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | IPAK (TO-251) | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 185mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -30V, +30V | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 9.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 IPAK (TO-251) | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 185mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -30V, +30V | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max +150°C | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
ON Semiconductor 強化モードPチャンネルMOSFET
ON SemiconductorsシリーズのPチャンネルMOSFETは、ON Semiconductors独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度なプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えるように設計されており、高速スイッチングのための堅牢で信頼性の高い性能を発揮します。
特長：
• 電圧制御Pチャンネル小信号スイッチ
• 高密度セル設計
• 飽和電流が高い
• 優れたスイッチング
• 優れた堅牢性と信頼性の高い性能
• DMOSテクノロジー
用途:
• 負荷スイッチング
• DC/DCコンバータ
• バッテリ保護
• 電源管理制御
• DCモータ制御
MOSFETトランジスタ、ONセミ
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ONセミMOSFETは、電圧スパイクやオーバーショットの低減、ジャンクション静電容量の低減、逆回復電荷の低減、システムを長時間動作させるための追加の外部コンポーネントの排除など、優れた設計信頼性を実現します。
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