STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 35 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, STD35NF06LT4

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥1,280.00

(税抜)

￥1,408.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 9,245 は 2026年1月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 120￥256.00￥1,280
125 - 1195￥224.40￥1,122
1200 - 1595￥192.80￥964
1600 - 1995￥162.60￥813
2000 +￥131.20￥656

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
687-5103
メーカー型番:
STD35NF06LT4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

STripFET II

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

17mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

15 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

80W

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

175°C

高さ

2.4mm

長さ

6.6mm

規格 / 承認

No

幅

6.2 mm

自動車規格

なし

NチャンネルSTripFET™ II、STMicroelectronics


広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


関連ページ